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HiPIMS反應(yīng)濺射制備SiO2-Ta2O5光學(xué)干涉膜
在Si靶和Ta靶氧反應(yīng)濺射時，用合適的HiPIMS脈沖參數(shù)可以抑制進氣遲滯回線，在沒有氣體控制器下也能保證工藝穩(wěn)定性。
HiPIMS有無局部離化區(qū)的放電對比研究
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HiPIMS）因磁場約束放電，其靶材附近的放電形式變化多樣。放電的不穩(wěn)定性，等離子體均勻性，等離子體的磁約束情況都是非常值得研究的內(nèi)容，如等離子體局部離化，電子逃逸等導(dǎo)致的等離子體形狀變化如條形斑圖，環(huán)狀斑圖等。
真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)的區(qū)別
真空磁控濺射涂層技術(shù)不同于真空蒸發(fā)涂層技術(shù)。濺射是指核能顆粒轟擊固體表面（目標(biāo)），使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。
磁控濺射技術(shù)分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射，分別有何作用？
磁控濺射可分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。直流(DC)磁控濺射與氣壓在一定范圍內(nèi)的濺射提高了電離率(盡可能小保持較高的電離率)，提高了均勻度增加了壓力又保證了薄膜的純度，