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新型的真空鍍膜技術(shù)和材料的研究進(jìn)展如何？
原子層沉積（ALD）技術(shù)：具有原子級(jí)的厚度控制精度和優(yōu)異的膜層均勻性，可在復(fù)雜形狀的基底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量鍍膜。目前在半導(dǎo)體、微電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，如用于制備高介電常數(shù)的超薄絕緣層，以提高晶體管性能和降低功耗
真空鍍膜過程中可能出現(xiàn)哪些缺陷
針孔是真空鍍膜中較為常見的問題。這主要是由于鍍膜材料在沉積過程中，基片表面的微小雜質(zhì)、灰塵或者氣體殘留所導(dǎo)致。例如，在蒸發(fā)鍍膜時(shí)，如果基片清洗不夠徹底，表面殘留的顆粒會(huì)使鍍膜材料在其周圍無法均勻沉積，形成針孔。
高能脈沖PVD技術(shù)相比傳統(tǒng)PVD有何優(yōu)勢(shì)？
致密度更高：高能脈沖PVD在沉積過程中，能夠產(chǎn)生高密度的等離子體，使沉積粒子具有更高的能量，從而在基底上形成更致密的膜層。例如，在制備硬質(zhì)涂層時(shí)，其形成的膜層結(jié)構(gòu)更加緊密
高能脈沖PVD技術(shù)可以制備哪些膜層？
如氮化鈦（TiN）膜層。TiN具有高硬度、良好的耐磨性和化學(xué)穩(wěn)定性。在刀具涂層領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，通過高能脈沖PVD技術(shù)制備的TiN膜層，能夠顯著提高刀具的使用壽命。
高能脈沖 PVD 的基本物理原理是什么？
PVD是在高溫下將靶材蒸發(fā)后沉積到工件表面形成鍍膜的技術(shù)。高能脈沖PVD是PVD技術(shù)的一種改進(jìn)形式，它的基本物理原理如下：