真空鍍膜的分類

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩類，即物理氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。

物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，通過(guò)各種物理方法氣化成原子和分子或電離成離子，將電鍍材料直接沉積在基材表面的方法。硬反應(yīng)膜多采用物理氣相沉積法制備，利用一些物理過(guò)程，如材料的熱蒸發(fā)或原子在離子轟擊下在材料表面濺射，實(shí)現(xiàn)原子從源材料向膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。物理氣相沉積技術(shù)具有膜基結(jié)合力好、膜層均勻致密、膜厚可控、靶面寬、濺射范圍寬、可沉積厚膜、合金膜成分穩(wěn)定、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，由于加工溫度可控制在500℃以下，因此可以采用物理氣相沉積法作為高速鋼和硬質(zhì)合金薄膜工具的加工工藝。由于物理氣相沉積技術(shù)可以提高刀具的切削性能，人們競(jìng)相研制高性能、高可靠性的設(shè)備，同時(shí)也拓展了其應(yīng)用領(lǐng)域，特別是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷刀具的應(yīng)用方面進(jìn)行了較為深入的研究。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)是將含有薄膜元素或化合物的單質(zhì)氣體供給基材，借助基材表面的氣相或化學(xué)反應(yīng)，在基體上制備金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積以及兼有CVD和PVD特征的等離子體化學(xué)氣相沉積等。